DSpace Харьковский національний економічний університетНауково-технічна бібліотекаНАУКОВИЙ АРХИВ
 

Repository Simon Kuznets Kharkiv National University of Economics // Репозитарій Харківського національного економічного університету імені Семена Кузнеця (ХНЕУ ім. С. Кузнеця) // Репозитарий Харьковского национального экономического университета имени Семена Кузнеца (ХНЭУ им. С. Кузнеца) >
Факультет підготовки іноземних громадян >
Кафедра природничих наук та технології >
Статті (ПНТ) >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14233

Title: Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals
Other Titles: Дислокационное внутреннее трение в высокочистых кристаллах сурьмы
Дислокаційне внутрішнє тертя в високочистих кристалах сурми
Authors: Pal-Val P. P.
Platkov V. Ya
Паль-Валь П. П.
Платков В. Я.
Keywords: internal friction
amplitude dependence
pinning centre
dislocation
activation parametres
внутреннее трение
амплитудная зависимость
центр закрепления
дислокация
параметры активации
внутрішнє тертя
амплітудна залежність
центр закріплення
дислокація
параметри активації
Issue Date: 1980
Citation: Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals / 1980, Dresden, Poster-Abstracts of 5th International symposium “High purity materials in science and technology”, - p. 457.
Abstract: To derive characteristics of the dislocation – pinning centre interaction in Sb crystals, the amplitude dependence of internal friction and modulus defect was studied at the frequency 88 kHz in the temperature range 40 – 300 K. The results obtained were compared with Indenbom – Chernov theoretical predictions. The dependence of activation parametres upon external stress amplitude was obtained.
Для получения характеристик взаимодействия дислокации с центром закрепления в кристаллах Sb, исследована амплитудная зависимость внутреннего трения и дефекта модуля на частоте 88 кГц в диапазоне температур 40 - 300 К. Результаты сопоставлялись с теоретическими предсказаниями Инденбома - Чернова. Получены зависимости параметров активации от амплитуды внешнего напряжения.
Для отримання характеристик взаємодії дислокації з центром закріплення в кристалах Sb, досліджена амплітудна залежність внутрішнього тертя і дефекту модуля на частоті 88 кГц в діапазоні температур 40 - 300 К. Результати зіставлялися з теоретичними передбаченнями Інденбома - Чернова. Отримано залежності параметрів активації від амплітуди зовнішньої напруги.
URI: http://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14233
Appears in Collections:Статті (ПНТ)

Files in This Item:

File Description SizeFormat
Текст Pal-Val, Platkov, 1980, Dresden, Poster-Abstract.pdf68.53 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

Valid XHTML 1.0! DSpace Software Copyright © 2002-2010  Duraspace - Feedback