Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.hneu.edu.ua/handle/123456789/13877
Название: Формирование вязкостью дислокационного амплитудно-зависимого гистерезиса
Другие названия: Формування в'язкістю дислокаційного амплітудно-залежного гістерезису
Viscous formation of dislocation amplitude-dependent hysteresis
Авторы: Рощупкин А. М.
Платков В. Я.
Рощупкін О. М.
Платков В. Я.
Roshchupkin A. M.
Platkov V. Ya.
Ключевые слова: амплитудно-зависимый гистерезис
электронное торможение
дислокационное внутреннее трение
амплітудно-залежний гістерезис
електронне гальмування
дислокаційне внутрішнє тертя
amplitude-dependent hysteresis
electron drag
dislocation internal friction
Дата публикации: 1981
Библиографическое описание: Рощупкин А. М. Формирование вязкостью дислокационного амплитудно-зависимого гистерезиса / А. М. Рощупкин, В. Я. Платков // Физика низких температур. – 1981. - № 9, Т. 7. – С. 1201 – 1213.
Краткий осмотр (реферат): Развита динамическая теория дислокационного амплитудно зависимого гистерезиса, выявляющая принципиально важную роль взаимодействия квазичастиц с дислокациями в формировании нелинейного отклика реального кристалла на распространяющуюся в нем ультразвуковую волну высокой частоты. Предсказана сильная частотная зависимость декремента затухания, обнаруживающая характерный максимум при переходе от динамического к статическому гистерезису. Для последнего случая установлен предельный переход к теориям Гранато—Люкке и Роджерса, описывающим амплитудно зависимые потери при слабой задемпфированности дислокационных петель. В рамках динамической теории дислокационного гистерезиса объяснена аномалия высокочастотного амплитудно зависимого внутреннего трения металлов, наблюдаемая при сверхпроводящем переходе и, как показывает анализ, непосредственно связанная с уменьшением в s-состоянии электронного торможения дислокаций.
Розвинена динамічна теорія дислокаційного амплітудно-залежного гістерезиса, що виявляє принципово важливу роль взаємодії квазічастинок з дислокаціями у формуванні нелінійного відгуку реального кристала на поширюючуюся в нім ультразвукову хвилю високої частоти. Передбачена сильна частотна залежність декремента загасання, що виявляє характерний максимум при переході від динамічного до статичного гістерезису. Для останнього випадку встановлен граничний перехід до теорій Гранато-Люкке і Роджерса, що описують амплітудно-залежні втрати при слабкій задемпфованості дислокаційних петель. У межах динамічної теорії дислокаційного гістерезису пояснена аномалія високочастотного амплітудно-залежного внутрішнього тертя металів, спостережувана при надпровідному переході і, як показує аналіз, безпосередньо пов'язана зі зменшенням в s-стані електронного гальмування дислокацій.
A dynamic theory of the dislocation amplitude-dependent hysteresis is developed, which reveals a principally important role of the quasi-particle-dislocation interaction in the formation of the nonlinear response of a real crystal to the propagating high-frequency ultrasound wave. A strong frequency dependence of damping is predicted, which displays a characteristic maximum when changing over from dynamic to statistic hysteresis. In the latter case, the limiting transition to the Granato-Liicke and Rogers theories describing the amplitude-dependent losses of underdamped dislocation loops is found. In terms of the dynamic theory of dislocation hysteresis we explain the anomaly in the high-frequency amplitude-dependent internal friction in metals which is observed at the superconducting transition and, according to the analysis, directly connec-ted with a decrease in the s-state electron drag by dislocations.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/13877
Располагается в коллекциях:Статті (ЗСЖіБЖ)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Текст сстатьи Рощупкин, Платков, ФНТ стр. 1201.pdf5,67 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.