Моделирование вариаций концентрации электронов в невозмущенной среднеширотной D-области на основе экспериментов
Вантажиться...
Автори
Гоков А. М.
Гритчин А. И.
Тырнов О. Ф.
Гоков О. М.
Гритчин А. І.
Тирнов О. Ф.
Gokov O. M.
Gritchin A. I.
Tyrnov O. F.
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
В работе на основе банка экспериментальных данных ХНУ имени В. Н. Каразина для построения модели вариаций концентрации электронов N(z,t) среднеширотной D-области использовано 7400 профилей N(z) (с равномерным распределением по сезонам), полученных в невозмущенных условиях в период 1980 – 2016 гг. вблизи гг. Харькова и Волгограда только с помощью метода частичных отражений (ЧО), что является важным отличием от известных в литературе моделей. У роботі на основі банку експериментальних даних ХНУ імені В. Н. Каразіна для побудови моделі варіацій концентрації електронів N(z,t) среднеширотной D-області використано 7400 профілів N (z) (з рівномірним розподілом по сезонах), отриманих в незбурених умовах в період 1980 - 2016 рр. поблизу м. Харкова і Волгограда тільки за допомогою методу часткових відбиттів (ЧВ), що є важливою відмінністю від відомих в літературі моделей. On the basis of the experimental data bank of V.N. Karazin’s Kharkiv National University, 7400 N(z) profiles (with a uniform distribution over the seasons) obtained under undisturbed conditions in 1980 - 2016 period near Kharkov and Volgograd with the help only of the method of partial reflections (PR) are used for modeling of the midlatitude D region which is an important difference from the models known in the literature.
Опис
Бібліографічний опис
Гоков А. М. Моделирование вариаций концентрации электронов в невозмущенной среднеширотной D-области на основе экспериментов / А. М. Гоков, А. И. Гритчин, О. Ф. Тырнов // Дослідження ближнього космосу ( в тому числі сонця сонячно-земних зв’язків, магнітосфери, іоносфери) та наземні радіофізичні дослідження. Секція 1 : 18 Українська конф. з космічних досліджень, 17-20 сент. 2018 г. : тези допов. – Київ, 2018. - C. 27.