Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.hneu.edu.ua/handle/123456789/14233
Название: Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals
Другие названия: Дислокационное внутреннее трение в высокочистых кристаллах сурьмы
Дислокаційне внутрішнє тертя в високочистих кристалах сурми
Авторы: Pal-Val P. P.
Platkov V. Ya.
Паль-Валь П. П.
Платков В. Я.
Ключевые слова: internal friction
amplitude dependence
pinning centre
dislocation
activation parametres
внутреннее трение
амплитудная зависимость
центр закрепления
дислокация
параметры активации
внутрішнє тертя
амплітудна залежність
центр закріплення
дислокація
параметри активації
Дата публикации: 1980
Библиографическое описание: Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals / 1980, Dresden, Poster-Abstracts of 5th International symposium “High purity materials in science and technology”, - p. 457.
Краткий осмотр (реферат): To derive characteristics of the dislocation – pinning centre interaction in Sb crystals, the amplitude dependence of internal friction and modulus defect was studied at the frequency 88 kHz in the temperature range 40 – 300 K. The results obtained were compared with Indenbom – Chernov theoretical predictions. The dependence of activation parametres upon external stress amplitude was obtained.
Для получения характеристик взаимодействия дислокации с центром закрепления в кристаллах Sb, исследована амплитудная зависимость внутреннего трения и дефекта модуля на частоте 88 кГц в диапазоне температур 40 - 300 К. Результаты сопоставлялись с теоретическими предсказаниями Инденбома - Чернова. Получены зависимости параметров активации от амплитуды внешнего напряжения.
Для отримання характеристик взаємодії дислокації з центром закріплення в кристалах Sb, досліджена амплітудна залежність внутрішнього тертя і дефекту модуля на частоті 88 кГц в діапазоні температур 40 - 300 К. Результати зіставлялися з теоретичними передбаченнями Інденбома - Чернова. Отримано залежності параметрів активації від амплітуди зовнішньої напруги.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14233
Располагается в коллекциях:Статті (ЗСЖіБЖ)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Текст Pal-Val, Platkov, 1980, Dresden, Poster-Abstract.pdf68,53 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.