Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.hneu.edu.ua/handle/123456789/14233
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorPal-Val P. P.-
dc.contributor.authorPlatkov V. Ya.-
dc.contributor.authorПаль-Валь П. П.-
dc.contributor.authorПлатков В. Я.-
dc.date.accessioned2016-10-24T12:16:36Z-
dc.date.available2016-10-24T12:16:36Z-
dc.date.issued1980-
dc.identifier.citationDislocation internal friction in high-purity antimony crystals / 1980, Dresden, Poster-Abstracts of 5th International symposium “High purity materials in science and technology”, - p. 457.en_US
dc.identifier.urihttp://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14233-
dc.description.abstractTo derive characteristics of the dislocation – pinning centre interaction in Sb crystals, the amplitude dependence of internal friction and modulus defect was studied at the frequency 88 kHz in the temperature range 40 – 300 K. The results obtained were compared with Indenbom – Chernov theoretical predictions. The dependence of activation parametres upon external stress amplitude was obtained.en_US
dc.description.abstractДля получения характеристик взаимодействия дислокации с центром закрепления в кристаллах Sb, исследована амплитудная зависимость внутреннего трения и дефекта модуля на частоте 88 кГц в диапазоне температур 40 - 300 К. Результаты сопоставлялись с теоретическими предсказаниями Инденбома - Чернова. Получены зависимости параметров активации от амплитуды внешнего напряжения.en_US
dc.description.abstractДля отримання характеристик взаємодії дислокації з центром закріплення в кристалах Sb, досліджена амплітудна залежність внутрішнього тертя і дефекту модуля на частоті 88 кГц в діапазоні температур 40 - 300 К. Результати зіставлялися з теоретичними передбаченнями Інденбома - Чернова. Отримано залежності параметрів активації від амплітуди зовнішньої напруги.en_US
dc.language.isoenen_US
dc.subjectinternal frictionen_US
dc.subjectamplitude dependenceen_US
dc.subjectpinning centreen_US
dc.subjectdislocationen_US
dc.subjectactivation parametresen_US
dc.subjectвнутреннее трениеen_US
dc.subjectамплитудная зависимостьen_US
dc.subjectцентр закрепленияen_US
dc.subjectдислокацияen_US
dc.subjectпараметры активацииen_US
dc.subjectвнутрішнє тертяen_US
dc.subjectамплітудна залежністьen_US
dc.subjectцентр закріпленняen_US
dc.subjectдислокаціяen_US
dc.subjectпараметри активаціїen_US
dc.titleDislocation internal friction in high-purity antimony crystalsen_US
dc.title.alternativeДислокационное внутреннее трение в высокочистых кристаллах сурьмыen_US
dc.title.alternativeДислокаційне внутрішнє тертя в високочистих кристалах сурмиen_US
dc.typeArticleen_US
Располагается в коллекциях:Статті (ЗСЖіБЖ)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Текст Pal-Val, Platkov, 1980, Dresden, Poster-Abstract.pdf68,53 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.