Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://repository.hneu.edu.ua/handle/123456789/14233
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Pal-Val P. P. | - |
dc.contributor.author | Platkov V. Ya. | - |
dc.contributor.author | Паль-Валь П. П. | - |
dc.contributor.author | Платков В. Я. | - |
dc.date.accessioned | 2016-10-24T12:16:36Z | - |
dc.date.available | 2016-10-24T12:16:36Z | - |
dc.date.issued | 1980 | - |
dc.identifier.citation | Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals / 1980, Dresden, Poster-Abstracts of 5th International symposium “High purity materials in science and technology”, - p. 457. | en_US |
dc.identifier.uri | http://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14233 | - |
dc.description.abstract | To derive characteristics of the dislocation – pinning centre interaction in Sb crystals, the amplitude dependence of internal friction and modulus defect was studied at the frequency 88 kHz in the temperature range 40 – 300 K. The results obtained were compared with Indenbom – Chernov theoretical predictions. The dependence of activation parametres upon external stress amplitude was obtained. | en_US |
dc.description.abstract | Для получения характеристик взаимодействия дислокации с центром закрепления в кристаллах Sb, исследована амплитудная зависимость внутреннего трения и дефекта модуля на частоте 88 кГц в диапазоне температур 40 - 300 К. Результаты сопоставлялись с теоретическими предсказаниями Инденбома - Чернова. Получены зависимости параметров активации от амплитуды внешнего напряжения. | en_US |
dc.description.abstract | Для отримання характеристик взаємодії дислокації з центром закріплення в кристалах Sb, досліджена амплітудна залежність внутрішнього тертя і дефекту модуля на частоті 88 кГц в діапазоні температур 40 - 300 К. Результати зіставлялися з теоретичними передбаченнями Інденбома - Чернова. Отримано залежності параметрів активації від амплітуди зовнішньої напруги. | en_US |
dc.language.iso | en | en_US |
dc.subject | internal friction | en_US |
dc.subject | amplitude dependence | en_US |
dc.subject | pinning centre | en_US |
dc.subject | dislocation | en_US |
dc.subject | activation parametres | en_US |
dc.subject | внутреннее трение | en_US |
dc.subject | амплитудная зависимость | en_US |
dc.subject | центр закрепления | en_US |
dc.subject | дислокация | en_US |
dc.subject | параметры активации | en_US |
dc.subject | внутрішнє тертя | en_US |
dc.subject | амплітудна залежність | en_US |
dc.subject | центр закріплення | en_US |
dc.subject | дислокація | en_US |
dc.subject | параметри активації | en_US |
dc.title | Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals | en_US |
dc.title.alternative | Дислокационное внутреннее трение в высокочистых кристаллах сурьмы | en_US |
dc.title.alternative | Дислокаційне внутрішнє тертя в високочистих кристалах сурми | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Располагается в коллекциях: | Статті (ЗСЖБЖ) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Текст Pal-Val, Platkov, 1980, Dresden, Poster-Abstract.pdf | 68,53 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.