Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repository.hneu.edu.ua/handle/123456789/14233
Назва: | Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals |
Інші назви: | Дислокационное внутреннее трение в высокочистых кристаллах сурьмы Дислокаційне внутрішнє тертя в високочистих кристалах сурми |
Автори: | Pal-Val P. P. Platkov V. Ya. Паль-Валь П. П. Платков В. Я. |
Теми: | internal friction amplitude dependence pinning centre dislocation activation parametres внутреннее трение амплитудная зависимость центр закрепления дислокация параметры активации внутрішнє тертя амплітудна залежність центр закріплення дислокація параметри активації |
Дата публікації: | 1980 |
Бібліографічний опис: | Dislocation internal friction in high-purity antimony crystals / 1980, Dresden, Poster-Abstracts of 5th International symposium “High purity materials in science and technology”, - p. 457. |
Короткий огляд (реферат): | To derive characteristics of the dislocation – pinning centre interaction in Sb crystals, the amplitude dependence of internal friction and modulus defect was studied at the frequency 88 kHz in the temperature range 40 – 300 K. The results obtained were compared with Indenbom – Chernov theoretical predictions. The dependence of activation parametres upon external stress amplitude was obtained. Для получения характеристик взаимодействия дислокации с центром закрепления в кристаллах Sb, исследована амплитудная зависимость внутреннего трения и дефекта модуля на частоте 88 кГц в диапазоне температур 40 - 300 К. Результаты сопоставлялись с теоретическими предсказаниями Инденбома - Чернова. Получены зависимости параметров активации от амплитуды внешнего напряжения. Для отримання характеристик взаємодії дислокації з центром закріплення в кристалах Sb, досліджена амплітудна залежність внутрішнього тертя і дефекту модуля на частоті 88 кГц в діапазоні температур 40 - 300 К. Результати зіставлялися з теоретичними передбаченнями Інденбома - Чернова. Отримано залежності параметрів активації від амплітуди зовнішньої напруги. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://www.repository.hneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14233 |
Розташовується у зібраннях: | Статті (ЗСЖБЖ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Текст Pal-Val, Platkov, 1980, Dresden, Poster-Abstract.pdf | 68,53 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.